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麦科威 光发射电子显微镜
2025-06-16 10:20  浏览:0
   LEEM是广泛应用于材料科学领域的高技术分析仪器,能集原位观测、超快及光电子成像于一体,即我们所称的“长眼睛的超级XPS”,能对薄膜以及二维材料、锂离子电池、钙钛矿太阳能电池材料等的表面电子行为进行实时激发、图像采集及定量分析,此外LEEM还可定量地解析各种薄膜材料在生长过程中所处的能带状态,因而可以对电子材料制备、使用和失效过程进行有效的表征,从而揭示电子材料的化学成分、能带及其价态与性能的作用机理。LEEM与成像功能和离子溅射刻蚀相结合,可以用于固体表面元素成分及价态的面分布和深度剖析;与离子蒸镀或其他分子束外延技术相结合,可以进行原位样品的制备及分析工作。当电子到样品的着陆能量较低时,会在样品表面发生衍射。对衍射斑点进行成像,可以获得LEED图像,得知表面晶向结构。同时可以与光阑配合,调控电子束在表面的位置与大小,进行微区LEED表征,这样就不仅可以对样品表面进行实空间成像,还可以得知样品各微观位置的晶向结构。这也是PEEM/LEEM系统一大优势。因此,LEEM在电子薄膜材料、半导体材料、纳米材料、能源、催化分析等方面具有不可替代的作用。
  技术参数:
  1、 主分析腔真空≤2×10-10mbar,主分析腔和快速进样腔之间配有过渡腔,留有扩展接口,可用于后期与其它设备互联;
  2、 *高精度5轴马达全自动驱动样品台,XYZ和2个Tilt方向全部马达驱动
  3、 高通量放电汞灯一个,用于PEEM成像
  4、 高温成像样品温度可达1500K;
  5、 *磁偏转棱镜采用90°偏转,易于光路整体校正;
  6、 *冷场发射电子枪,电子束斑直径200nm- 40μm,能量分布FWHM ≤0.3 eV;
  空间分辨率<5nm(LEEM模式),<10nm(PEEM模式)
  像差校正:LEEM空间分辨率优于3nm
  7、 能量分辨率< 250 meV;
  8、 样品位置稳定性<5nm,再现性<500nm;
  9、 软件能操控能量狭缝位置,可快速实现能量过滤成像;
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